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墨記 ? 來(lai)源︰電(dian)子(zi)發燒友網 ? 作者(zhe)︰張慧娟(juan) ? 2020-04-07 14:23 ? 次閱讀
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抗gou)饕 櫚撓艙袒姑淮蟯wan),疫後(hou)重(zhong)建的硬仗已經打響了,動(dong)力就是“新基(ji)建”bo)J裁詞恰靶祿ji)建”?覆蓋(gai)7大領域︰5G基(ji)建、特(te)高壓(ya)、城際高鐵和(he)城際軌道交通、新能源汽車(che)充電(dian)樁、大數(shu)據(ju)中心、人工智能、工業互聯網。

事lv)shi)上(shang),“新基(ji)建”並不是一個(ge)新概念,早在2018年底召(zhao)開的中央經濟工作會(hui)議上(shang)就明確了5G、人工智能、工業互聯網、物聯網等“新型tu)ji)礎設施建設”的定位(wei),隨(sui)後(hou)“加強新一代(dai)信(xin)息基(ji)礎設施建設”被列(lie)入2019年政府(fu)工作報告(gao)。2020年開年的首場國務院常務會(hui)議也明確提出,大力發展(zhan)先進(jin)制造業dan) 鎏ㄐxin)息網絡等新型tu)ji)礎設施投資shou)?終擼 平jin)智能、綠色(se)制造。
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數(shu)字經濟的發展(zhan)離不開5G、大數(shu)據(ju)、人工智能、雲(yun)計算(suan)等新技術的支(zhi)撐。這些既是基(ji)礎設施,又(you)是新興shun)擔(dan) 煌妨 啪藪蟺耐蹲視冑棖螅 煌非qian)著不huan)仙兜南fei)市場,必將成為中國經濟增長的新引擎(qing)。

七大“新基(ji)建”背後(hou)的半導體(ti)機會(hui)

過去的一年,受(shou)全球貿易(yi)zhuang) dong)、半導體(ti)終端shun)返邸 悄蓯shou)機銷量逐漸飽和(he)等因素(su)的影響,半導體(ti)行業dao)齔魷治?踉齔? 恍┤阜至 蟶踔臉魷指涸齔?5 牽(qian)020年半導體(ti)整體(ti)大環(huan)境將出現轉機,5G、新能源汽車(che)、大數(shu)據(ju)、人工智能等七大“新基(ji)建”,將為半導體(ti)行業的復甦帶來(lai)轉機。
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首先看5G基(ji)建。自 2019 年工信(xin)部 5G 商用(yong)啟動(dong)以來(lai),三大運營商在全國的基(ji)站建設腳(jiao)步不huan)霞涌(yong) =lai),中國移動(dong)表示今年建設30萬個(ge)5G基(ji)站的目標不變,中國聯通和(he)中國電(dian)信(xin)將力爭前三季度完(wan)成shan) 5萬基(ji)站的建設目標。業dao)繚?ce),2020年我(wo)國建設5G基(ji)站70萬座,2024年共建設554萬座。對半導體(ti)行業來(lai)說dan) chu)了5G通信(xin)網絡的建設為其帶來(lai)了大量的中下(xia)游的新增需求之外,也成為2020年半導體(ti)市場回暖(nuan)的主要動(dong)力。
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5G終端市場方面,多類型終端形(xing)態(tai)的持續推出有利(li)于打造5G全場景新lv)tai),終端設備市場規模今年將出現新一輪增長。根據(ju)賽迪顧(gu)問年初(chu)的nao)?ce),隨(sui)著終端市場的進(jin)一步打開,5G基(ji)帶芯片和(he)射頻芯片等關鍵元器件的需求將大幅上(shang)升。細分環(huan)節方面,為降低(di)終端體(ti)積、改善終端功(gong)耗(hao),5G終端基(ji)帶芯片將持續向(xiang)高集成度的SoC芯片方向(xiang)發展(zhan);在央地聯動(dong)的政策引導與鼓(gu)勵(li)下(xia),華為海思、紫光(guang)展(zhan)銳(rui)、卓勝(sheng)微、中興微電(dian)子(zi)等國內企(qi)業有望切入中高端射頻芯片領域。
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工業互聯網的驅動(dong)力也不容忽視,它與5G更像(xiang)是“你中有xing)遙(yao) wo)中有你”的狀態(tai)。不同(tong)于4G時代(dai)之前以人為本的路線,5G最根本的區別就在于工業場景。5G、邊(bian)緣(yuan)計算(suan)、大數(shu)據(ju)、超高清視頻、AR/VR等先進(jin)技術有望在工業領域融合(he)發展(zhan)。工業和(he)信(xin)息化部部長苗圩就曾指出,未來(lai)80%的5G應用(yong)場景會(hui)在工業互聯網。不過,在這個(ge)巨大的市場機遇面前,國內半導體(ti)廠商在處理器、傳感器、微控制器、通信(xin)芯片和(he)功(gong)率(lv)半導體(ti)等核心器件方面仍(reng)主要集中xing)謚械di)端市場,模擬芯片方面幾乎被國際巨頭壟斷(duan),這是既須正視yong)南質shi)dan) 彩橋 Φ姆較xiang)。
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大數(shu)據(ju)中心、人工智能,這兩(liang)個(ge)動(dong)因將對半導體(ti)產業帶來(lai)密不可(ke)分的影響。大數(shu)據(ju)中心的建設,將加大對服務器、存儲設備、網絡設備、安全設備、光(guang)模塊等需求。基(ji)礎半導體(ti)存儲技術需要加速創新,特(te)別是NAND和(he)DRAM的可(ke)擴展(zhan)性(xing)。存儲器生產和(he)消費(fei)之間的差距、降低(di)對國外存儲器件的依賴(lai)、新興應用(yong)的存儲需求等,都需要政府(fu)與企(qi)業凝(ning)力推進(jin),為下(xia)一代(dai)存儲技術的發展(zhan)做好準備。
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人工智能涉及(ji)大量的數(shu)據(ju)處理任務,對za)謁suan)力的巨大需求,引爆了國內半導體(ti)創業熱潮的同(tong)時也帶來(lai)新一輪彎道超車(che)的機遇。相較于CPU一枝獨秀的年代(dai),開放的研究ke)tai),多樣化的技術路線,CPU、GPUFPGAASIC、類腦(nao)芯片等共同(tong)推動(dong)著AI算(suan)力的架(jia)構創新。值得一提的是qian)G、IoT與AI在邊(bian)緣(yuan)、端shun)嗟娜諍he)發展(zhan),將進(jin)一步推進(jin)邊(bian)緣(yuan)di)評(ping) 氳繼ti)芯片市場規模的nao)齔?8檬諧 蠢lai)的競爭將更加激烈yao) chu)了計算(suan)芯片本身,在軟件工具、制程封裝、存儲、互聯、安全等方面,全棧(zhan)式的能力將變得越來(lai)越重(zhong)要。除(chu)了海思、紫光(guang)展(zhan)銳(rui)、中星(xing)微這些資深玩家yao) 煨拘率(lv)shi)力也在迅速崛起,甚至不huan)Π 鎩 俁取 ge)力、比亞迪這樣的跨界選手(shou)。
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人工智能也在推動(dong)先進(jin)制程的加速演進(jin)。據(ju)IBS預測(ce),到(dao)2025年,全球10nm/7nm 制程 (gui)晶圓代(dai)工出貨量將達220萬片,相比目前翻了一huan) N man)足各類AI創新應用(yong)、海量數(shu)據(ju)傳輸,以及(ji)算(suan)法演進(jin)需求,芯片效能在不huan)咸岣叩耐tong)時,還必須降低(di)成本,極紫外光(guang)(EUV)等技術未來(lai)將扮演更為關鍵的角qiao)se)。
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特(te)高壓(ya)、城際交通、新能源汽車(che)的發展(zhan),無疑(yi)shan) 餐tong)驅動(dong)第三代(dai)功(gong)率(lv)半導體(ti)的加速發展(zhan)。在傳統che)繽納丁 咚倭lie)車(che)、新能源汽車(che)的核心動(dong)力系di)持校 wo)國發展(zhan)第三代(dai)半導體(ti)得到(dao)了國家政策的支(zhi)持,是我(wo)國實(shi)現產業戰略升級和(he)低(di)碳經濟的重(zhong)要途徑,將SiC等第三代(dai)半導體(ti)材料器件用(yong)于電(dian)機驅動(dong)等環(huan)節將大幅提高功(gong)率(lv)密度並降低(di)整體(ti)成本。迄(qi)今為止,我(wo)國已有四條(tiao)4/6英寸SiC生產/中試線和(he)三條(tiao)GaN生產/中試線相繼投入使用(yong),並在建多個(ge)與第三代(dai)半導體(ti)相關的研發中試yun)教 9 牡??牡住?庋悠 zhan)市場份額不huan)俠┐螅  iC二極管(guan)和(he)MOSFET開始進(jin)入市場。不過,在頭部廠商取得成績(ji)的背後(hou),我(wo)國整體(ti)實(shi)力和(he)產業化能力的提升,有待進(jin)一步加強。

如何看待“新基(ji)建”對半導體(ti)的拉動(dong)效應?

如何看待“新基(ji)建”的驅動(dong)效應?筆者(zhe)認為,除(chu)了對經濟的拉動(dong)作用(yong),“新基(ji)建”給了中國硬科技創新更大的發揮yong)佔(zhan)洌 cong)yong)撞(zhuang)慊ji)礎技術支(zhi)撐上(shang)將塑造新的國際競爭優勢(shi)。
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今年是全面建成小(xiao)康社會(hui)和(he)“十三五”規劃(hua)收zhan)僦 輳   κshi)現全年經濟社會(hui)發展(zhan)目標任務,必須發揮好有效投資關鍵作用(yong)。從(cong)拉動(dong)經濟增長需求而言,七大“新基(ji)建”勢(shi)必要挑起大梁。從(cong)疫情爆發以來(lai),人工智能、大數(shu)據(ju)、5G等都已發揮出積極的作用(yong),有望在疫情刺激下(xia)加速推進(jin)。
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那麼,又(you)該如何看待“新基(ji)建”對我(wo)國半導體(ti)產業的影響?作為關鍵核心技術支(zhi)撐,一huan)矯媯 祿ji)建將帶來(lai)大量新增需求。同(tong)時,基(ji)于自主可(ke)控的要求,“新基(ji)建”有望引導我(wo)國半導體(ti)產業dao)冑亂宦址 zhan)周(zhou)期。
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2020年,國產替代(dai)會(hui)繼續成為國內半導體(ti)產業發展(zhan)的主線,且主導企(qi)業可(ke)能從(cong)華為等代(dai)表企(qi)業擴大到(dao)更多的國產系di)吵 蹋 shi)現替代(dai)的產品也將從(cong)you)械di)端升級到(dao)存儲、模擬、射頻等更多戰略級通用(yong)或更多量大面廣的高端shun)飛shang)。
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其次,除(chu)了半導體(ti)設計環(huan)節,加速建立完(wan)整、獨立自主核心技術的國產半導體(ti)工業體(ti)系是大勢(shi)所趨,需要代(dai)工、封裝、測(ce)試以及(ji)配套設備、材料等更多環(huan)節的協同(tong)發展(zhan)。

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如何防範(fan)人工智能的技術性(xing)風險

一種(zhong)新型的人工智能驅動(dong)的經濟和(he)社會(hui)模式正在由無處不在的數(shu)據(ju)和(he)算(suan)法催生而出,同(tong)時也帶來(lai)了一些法律(lv)和(he)倫理....
發表于 04-07 14:24 ? 35次 閱讀
如何防範(fan)人工智能的技術性(xing)風險

三大運營商將全面升級基(ji)礎短信(xin)服務 5G消息將迎來(lai)巨大的市場機會(hui)

5G已來(lai),傳統短信(xin)將如何wei)﹫霰瀋恚月10日,三大運營商聯將于4月8日聯合(he)發布5G消息白皮書。
發表于 04-07 14:11 ? 130次 閱讀
三大運營商將全面升級基(ji)礎短信(xin)服務 5G消息將迎來(lai)巨大的市場機會(hui)

瑞(rui)萊智慧推出RealSafe AI安全平台,具有模型安全測(ce)評(ping)和(he)防御(yu)解決方案

然huan)I安全作為一個(ge)新興領域,盡管(guan)對抗樣本等攻擊手(shou)段日益變得復雜(za),在開源社區、工具包(bao)的加持下(xia),高級攻....
的頭像(xiang) 牽(qian)手(shou)一起夢 發表于 04-07 14:05 ? 275次 閱讀
瑞(rui)萊智慧推出RealSafe AI安全平台,具有模型安全測(ce)評(ping)和(he)防御(yu)解決方案

丹邦科技ji)甲7.8億研發量子(zi)碳化合(he)物半導體(ti)膜 有望在化合(he)物半導體(ti)材料領域實(shi)現zhong)卮蠹際跬tu)破

4月6日,深圳丹邦科技股(gu)份有限公(gong)司(si)(以下(xia)簡稱“丹邦科技”)發布2020年非公(gong)開發行股(gu)票預案公(gong)告(gao),擬非....
的頭像(xiang) 半導體(ti)動(dong)態(tai) 發表于 04-07 11:57 ? 178次 閱讀
丹邦科技��ji)甲��7.8億研發量子(zi)碳化合(he)物半導體(ti)膜 有望在化合(he)物半導體(ti)材料領域實(shi)現��zhong)卮蠹際跬��tu)破

華為入股(gu)中電(dian)儀器 投資6606萬元持股(gu)比例達8%

據(ju)企(qi)查查,3月31日,華為技術有限公(gong)司(si)新增對外投資shi)笠抵械dian)科儀器儀表有限公(gong)司(si)(下(xia)稱中電(dian)儀器),華為持....
的頭像(xiang) 半導體(ti)動(dong)態(tai) 發表于 04-07 11:51 ? 858次 閱讀
華為入股(gu)中電(dian)儀器 投資6606萬元持股(gu)比例達8%

智慧大腦(nao)如何為河南制造賦能

自動(dong)駕駛、智能機器人、視頻與圖像(xiang)識別、智能語音交互……人工智能正融入日常生活(huo),帶動(dong)技術升級、推動(dong)產業....
發表于 04-07 11:49 ? 109次 閱讀
智慧大腦(nao)如何為河南制造賦能

智能音箱可(ke)以幫我(wo)們監(jian)控身體(ti)健康dan)/a>

人工智能風潮的推動(dong)下(xia),智能音箱正在用(yong)越來(lai)越多的可(ke)能搶佔(zhan)控制樞(shu)紐的核心地位(wei),這已經大有可(ke)為,然huan)悴恢zhi)....
發表于 04-07 11:46 ? 64次 閱讀
智能音箱可(ke)以幫我(wo)們監(jian)控身體(ti)健康��dan)�� /> </a></div><div class=

山(shan)東臨淄經濟開發區正建設國內首個(ge)第三代(dai)半導體(ti)材料產業基(ji)地

“集成電(dian)路產業是信(xin)息技術產業乃至工業轉型升級的內部驅動(dong)力,當(dang)前全球集成電(dian)路產業的制造工藝不huan)媳平錮...
的頭像(xiang) 半導體(ti)動(dong)態(tai) 發表于 04-07 11:44 ? 184次 閱讀
山(shan)東臨淄經濟開發區正建設國內首個(ge)第三代(dai)半導體(ti)材料產業基(ji)地

藥企(qi)為什麼對za)諶斯?悄芏dong)心

圖片隨(sui)著新一代(dai)信(xin)息技術的崛起和(he)諸多高科技領域的發展(zhan),以人工智能為代(dai)表的一系列(lie)前沿技術開始在各個(ge)傳統領....
發表于 04-07 11:38 ? 142次 閱讀
藥企(qi)為什麼對��za)諶斯?悄芏��dong)心

在人工智能的技術時代(dai)可(ke)能發生什麼

創新技術、科技顛覆的步調在加速,曾經由蒸汽機、煉油(you)廠和(he)電(dian)視構成的世界面臨著虛(xu)擬現實(shi)、人工智能的沖擊,....
發表于 04-07 11:26 ? 38次 閱讀
在人工智能的技術時代(dai)可(ke)能發生什麼

人工智能會(hui)如何影響我(wo)們的點點滴(di)滴(di)

任何wo)幌xiang)技術的出現都會(hui)有利(li)有弊的,俗話說“科技是把雙刃劍(jian)”,人工智能也不例外,他的出現也將給我(wo)們的生....
發表于 04-07 11:24 ? 32次 閱讀
人工智能會(hui)如何影響我(wo)們的點點滴(di)滴(di)

河北聯通與電(dian)信(xin)實(shi)現了全省(sheng)11個(ge)地市的4G/5G無線網絡TAC規劃(hua)

近日,河北聯通完(wan)成shang)滯G全部ke)尷咄緄AC(跟蹤(zong)區編碼)“拉齊”工作,為快速推進(jin)現網無線資源的共....
發表于 04-07 11:13 ? 45次 閱讀
河北聯通與電(dian)信(xin)實(shi)現了全省(sheng)11個(ge)地市的4G/5G無線網絡TAC規劃(hua)

江甦移動(dong)攜手(shou)捷普(pu)電(dian)子(zi)與愛立信(xin)聯合(he)打造出了5G工業互聯網創新應用(yong)

這是基(ji)于5GMEC(邊(bian)緣(yuan)計算(suan))數(shu)字工廠帶來(lai)的改變。該項(xiang)目由中國移動(dong)江甦zhan)gong)司(si)攜手(shou)捷普(pu)電(dian)子(zi)、愛立信(xin)聯合(he)....
發表于 04-07 11:10 ? 209次 閱讀
江甦移動(dong)攜手(shou)捷普(pu)電(dian)子(zi)與愛立信(xin)聯合(he)打造出了5G��工業互聯網創新應用(yong)

濟南聯通攜手(shou)華為開通了400W大功(gong)率(lv)基(ji)站的5G高鐵網絡

該技術應用(yong)業dao)繾釹冉jin)的400W 8T8R射頻拉遠模塊,結(jie)合(he)華為自主研發的12小(xiao)區合(he)並方案,可(ke)提供更穩....
發表于 04-07 11:07 ? 51次 閱讀
濟南聯通攜手(shou)華為開通了400W大功(gong)率(lv)基(ji)站的5G高鐵網絡

福建移動(dong)已在廈門地鐵2號線上(shang)成功(gong)開通了5G網絡

福建移動(dong)加大5G網絡建設力度,在省(sheng)內各地市建設精品5G網絡示範(fan)區,廈門地鐵2號線成為省(sheng)內首個(ge)100%....
發表于 04-07 11:04 ? 43次 閱讀
福建移動(dong)已在廈門地鐵2號線上(shang)成功(gong)開通了5G網絡

內蒙古移動(dong)在自治區首條(tiao)地鐵上(shang)成功(gong)開通了5G網絡

早在2019年呼和(he)浩特(te)市地鐵建設期間,考(kao)慮到(dao)地鐵的安全運行和(he)數(shu)據(ju)存儲的高可(ke)靠、高性(xing)能需要,內蒙古移動(dong)....
發表于 04-07 11:00 ? 33次 閱讀
內蒙古移動(dong)在自治區首條(tiao)地鐵上(shang)成功(gong)開通了5G網絡

大數(shu)據(ju)時代(dai),數(shu)據(ju)安全也需要要加把保護鎖

最近,兩(liang)起有關數(shu)據(ju)安全的事件引發關注。工信(xin)部近日就新浪微博App(手(shou)機應用(yong)程序)數(shu)據(ju)泄露(lu)問題(ti),對yun)湎...
發表于 04-07 08:49 ? 337次 閱讀
大數(shu)據(ju)時代(dai),數(shu)據(ju)安全也需要要加把保護鎖

采用(yong)WISHBONE總線有效地解決IP核可(ke)移植性(xing)、設計復cong)yong)問題(ti)

清華大學嵌入式微處理器芯片設計為國家重(zhong)點863項(xiang)目,單芯片多處理器設計為項(xiang)目的一個(ge)延伸(shen)。單芯片多處理....
發表于 04-04 18:19 ? 27次 閱讀
采用(yong)WISHBONE總線有效地解決IP核可(ke)移植性(xing)、設計復��cong)��yong)問題(ti)

以一敵三的商業智能BI是怎樣成功(gong)出圈的?

論(lun)分析能力,海量數(shu)據(ju)的分析挖掘眨眼(yan)間完(wan)成,不同(tong)瀏(liu)覽者(zhe)都ji)芑竦米約ji)想要的分析報表;論(lun)數(shu)據(ju)展(zhan)示,圖形(xing)化分析報表讓人一眼(yan)看懂,...
發表于 04-03 17:03 ? 133次 閱讀
以一敵三的商業智能BI是怎樣成功(gong)出圈的?

半導體(ti)致冷器有什麼cong)諾悖/a>

半導體(ti)溫差致冷是建立在法國物理學家Peltien帕爾帖效應(即溫差效應)基(ji)礎上(shang)的具體(ti)應用(yong)。當(dang)電(dian)流流經兩(liang)種(zhong)不同(tong)性(xing)質shi)牡繼ti)形(xing)成shan)擁(yong)..
發表于 04-03 09:02 ? 85次 閱讀
半導體(ti)致冷器有什麼��cong)諾悖�� /> </a></div><div class=

半導體(ti)制ping)漵惺裁從(cong)湃鋇悖/a>

半導體(ti)制ping)淶幕碇饕 塹dian)荷載體(ti)在不同(tong)的材料中處于不同(tong)的能量kao)叮 諭獾dian)場的作用(yong)下(xia),電(dian)荷載體(ti)從(cong)高能級的材料向(xiang)低(di)能級的材料運動(dong)...
發表于 04-03 09:02 ? 73次 閱讀
半導體(ti)制��ping)漵惺裁從(cong)湃鋇悖�� /> </a></div><div class=

微信(xin)半導體(ti)群

轉眼(yan)間2020年已經過去一個(ge)季度了,冬天說走就走,春(chun)天也沒停(ting)留(liu)。各行各業的工作多多少少都受(shou)到(dao)疫情影響。悄悄地問一句,您(nin)的事業...
發表于 03-28 12:16 ? 412次 閱讀
微信(xin)半導體(ti)群

請問怎麼單片機怎麼控制半導體(ti)片的電(dian)流方向(xiang)?

畢業設計的要求是用(yong)單片機設計一個(ge)溫lu)炔ce)量電(dian)路,通過測(ce)量得到(dao)的溫lu)熱??瓢氳繼ti)片的電(dian)流方向(xiang),從(cong)而達到(dao)控制兩(liang)面的溫lu)齲 飧ge)要...
發表于 03-25 00:26 ? 48次 閱讀
請問怎麼單片機怎麼控制半導體(ti)片的電(dian)流方向(xiang)?

大數(shu)據(ju)實(shi)時分析領域的ClickHouse

ClickHouse大數(shu)據(ju)實(shi)時分析領域的黑馬
發表于 03-24 11:09 ? 274次 閱讀
大數(shu)據(ju)實(shi)時分析領域的ClickHouse

【戰疫專題(ti)】第五期︰智慧物流,疫情之中顯yuan)dan)當(dang)

2020年,新型冠狀病毒席卷(juan)了整個(ge)中國,同(tong)時也在促進(jin)著產業的變革(ge)與生活(huo)變化。電(dian)子(zi)發燒友在此期間推出【戰疫專題(ti)】活(huo)動(dong),持續為...
發表于 03-18 11:00 ? 2148次 閱讀
【戰疫專題(ti)】第五期︰智慧物流,疫情之中顯��yuan)��dan)當(dang)

人工智能、數(shu)據(ju)挖掘、機器學習和(he)深度學習的關系

人工智能、數(shu)據(ju)挖掘、機器學習和(he)深度學習之間,主要有什麼關系dan)..
發表于 03-16 11:35 ? 109次 閱讀
人工智能、數(shu)據(ju)挖掘、機器學習和(he)深度學習的關系

人工智能偵查有哪些應用(yong)

【人工智能偵查的應用(yong)領域】
發表于 03-16 11:28 ? 85次 閱讀
人工智能偵查有哪些應用(yong)

半導體(ti)泵浦激光(guang)器有什麼cong)諾悖/a>

半導體(ti)泵浦固體(ti)激光(guang)器的種(zhong)類很多,可(ke)以是連續的、脈沖的、調Q的,以及(ji)加倍頻混頻等非線性(xing)轉換的。工作物質shi)男xing)狀cong)性(xing)倉he)板條(tiao)狀...
發表于 03-10 09:03 ? 125次 閱讀
半導體(ti)泵浦激光(guang)器有什麼��cong)諾悖�� /> </a></div><div class=

LM324LV 4 通道行業dang)曜嫉di)電(dian)壓(ya)運算(suan)放大器

LM3xxLV系列(lie)包(bao)括單個(ge)LM321LV,雙LM358LV和(he)四個(ge)LM324LVoperational放大器或運算(suan)放大器。這些器件采用(yong)2.7 V至5.5 V的低(di)電(dian)壓(ya)工作。 這些運算(suan)放大器是LM321,LM358和(he)LM324的替代(dai)產品,適用(yong)于對成本敏(min)感的低(di)電(dian)壓(ya)應用(yong)。一些應用(yong)是大型電(dian)器,煙(yan)霧探測(ce)器和(he)個(ge)人電(dian)子(zi)產品。 LM3xxLV器件在低(di)電(dian)壓(ya)下(xia)提供比LM3xx器件更好的性(xing)能,並且功(gong)耗(hao)更低(di)。運算(suan)放大器在單位(wei)增益下(xia)穩定,在過驅動(dong)條(tiao)件下(xia)不會(hui)反(fan)相。 ESD設計為LM3xxLV系列(lie)提供了至少2 kV的HBM規格(ge)。 LM3xxLV系列(lie)提供具有行業dang)曜嫉姆庾啊U廡┐庾鞍bao)括SOT-23,SOIC,VSSOP和(he)TSSOP封裝。 特(te)性(xing) 用(yong)于成本敏(min)感系di)車(che)墓?當(dang)曜擠糯篤低(di)輸入失調電(dian)壓(ya)︰±1 mV 共模電(dian)壓(ya)範(fan)圍包(bao)括接yong)單位(wei)增益帶寬︰1 MHz 低(di)寬帶噪聲︰40 nV /ˇ Hz < li>低(di)靜態(tai)電(dian)流︰90μA/Ch 單位(wei)增益穩定 工作電(dian)壓(ya)為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和(he)四通道變體(ti) 穩健的ESD規範(fan)︰2 kV HBM 擴展(zhan)溫lu)確fan)圍︰-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者(zhe)的財產。 參數(shu) 與其它產品相比?通用(yong) 運算(suan)放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
發表于 01-08 17:51 ? 1034次 閱讀
LM324LV 4 通道行業��dang)曜嫉��di)電(dian)壓(ya)運算(suan)放大器

TLV9052 5MHz、15-V/?s 高轉換率(lv) RRIO 運算(suan)放大器

TLV9051,TLV9052和(he)TLV9054器件分別是單,雙和(he)四nao)慫suan)放大器。這些器件針(zhen)對1.8 V至5.5 V的低(di)電(dian)壓(ya)工作進(jin)行了優化。輸入和(he)輸出可(ke)以以非常高的壓(ya)擺率(lv)從(cong)軌到(dao)軌工作。這些器件非常適用(yong)于需要低(di)壓(ya)工作,高壓(ya)擺率(lv)和(he)低(di)靜態(tai)電(dian)流的成本受(shou)限應用(yong)。這些應用(yong)包(bao)括大型電(dian)器和(he)三相電(dian)機的控制。 TLV905x系列(lie)的容性(xing)負載驅動(dong)為200 pF,電(dian)阻性(xing)開環(huan)輸出阻抗使容性(xing)穩定更高,容性(xing)更高。 TLV905x系列(lie)易(yi)zi)謔褂yong),因為器件是統一的 - 增益穩定,包(bao)括一個(ge)RFI和(he)EMI濾shun)ㄆ鰨 詮靨tiao)件下(xia)不會(hui)發生反(fan)相。 特(te)性(xing) 高轉換率(lv)︰15 V /μs 低(di)靜態(tai)電(dian)流︰330μA 軌道-to-Rail輸入和(he)輸出 低(di)輸入失調電(dian)壓(ya)︰±0.33 mV 單位(wei)增益帶寬︰5 MHz 低(di)寬帶噪聲︰15 nV /ˇ Hz 低(di)輸入偏(pian)置電(dian)流︰2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和(he)EMI濾shun)ㄆ適用(yong)于低(di)成本應用(yong)的可(ke)擴展(zhan)CMOS運算(suan)放大器系列(lie) 工作電(dian)壓(ya)低(di)至1.8 V 由于電(dian)阻開環(huan),電(dian)容負載更容易(yi)穩定輸出阻抗 擴展(zhan)溫lu)確fan)圍︰-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者(zhe)的財產。 參數(shu) 與其它產品相比?通用(yong) 運算(suan)放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
發表于 01-08 17:51 ? 239次 閱讀
TLV9052 5MHz、15-V/?s 高轉換率(lv) RRIO 運算(suan)放大器

TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數(shu)和(he)串聯電(dian)阻校正的 ±1°C 雙路遠程和(he)本地溫lu)卻 釁/a>

TMP422是具有內置本地溫lu)卻 釁韉腦(nao)凍濤露(lu)卻 釁骷jian)視器。遠程溫lu)卻 釁 哂卸 guan)連接yong)木 ti)管(guan) - 通常是低(di)成本,NPN-或者(zhe)PNP - 類晶體(ti)管(guan)或者(zhe)作為微控制器,微處理器,或者(zhe)FPGA組成部分的二極管(guan)。 無需校準,對多生產商的nao)凍嘆 仁恰°C。這個(ge)2線串行接yong)誚郵shou)SMBus寫字節,讀字節,發送字節和(he)接收字節命令對此器件進(jin)行xin)渲謾TMP422包(bao)括串聯電(dian)阻抵消,可(ke)編程非理想性(xing)因子(zi),大範(fan)圍遠程溫lu)炔ce)量(高達150℃),和(he)二極管(guan)錯誤檢測(ce)。 TMP422采用(yong)SOT23-8封裝。 特(te)性(xing) SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管(guan)傳感器(最大值dan)±2.5°C本地溫lu)卻 釁鰨ㄗ畬籩擔(dan)串聯電(dian)阻抵消 n-因子(zi)校正 兩(liang)線/SMBus串口 多重(zhong)接yong)詰?二極管(guan)故障檢測(ce) RoHS兼容和(he)無Sb /Br 參數(shu) 與其它產品相比?數(shu)字溫lu)卻 釁? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
發表于 01-08 17:51 ? 198次 閱讀
TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數(shu)和(he)串聯電(dian)阻校正的 ±1°C 雙路遠程和(he)本地溫��lu)卻 釁�� /> </a></div><div class=

LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電(dian)流降壓(ya)轉換器和(he)雙路線性(xing)穩壓(ya)器

LP8733xx-Q1專為滿(man)足的電(dian)源管(guan)理要求而設計,這些處理器和(he)平台用(yong)于汽車(che)應用(yong)中的閉zhan)huan)性(xing)能。該器件具有兩(liang)個(ge)可(ke)配置為單個(ge)兩(liang)相穩壓(ya)器或兩(liang)個(ge)單相穩壓(ya)器的降壓(ya)直流/直流轉換器和(he)兩(liang)個(ge)線性(xing)穩壓(ya)器以及(ji)通用(yong)數(shu)字輸出信(xin)號。該器件由I 2 C兼容串行接yong)諍he)使gu)芐xin)號進(jin)行控制。 自動(dong)PWM /PFM(AUTO模式jian)┌cao)作與自動(dong)相位(wei)增加/減少相結(jie)合(he),可(ke)在較寬輸出電(dian)流範(fan)圍內最大限度地提高效率(lv).LP8733xx-Q1支(zhi)持遠程電(dian)壓(ya)檢測(ce)(采用(yong)兩(liang)相配置的差分),可(ke)補償穩壓(ya)器輸出與負載點(POL)之間的IR壓(ya)降dan) cong)而提高輸出電(dian)壓(ya)的精度。此外,可(ke)以強制開關時鐘(zhong)進(jin)入PWM模式以及(ji)將其與外部時鐘(zhong)同(tong)步jian) cong)而最大限度地降低(di)干shan)擰LP8733xx-Q1器件支(zhi)持可(ke)編程啟動(dong)和(he)關斷(duan)延遲(chi)與排序(包(bao)括與使gu)芐xin)號同(tong)步的GPO信(xin)號)。在啟動(dong)和(he)電(dian)壓(ya)變化期間,器件會(hui)對出轉換率(lv)進(jin)行控制,從(cong)而最大限度地減小(xiao)輸出電(dian)壓(ya)過沖和(he)浪涌(yong)電(dian)流。 特(te)性(xing) 具有符合(he) AEC-Q100 標準的下(xia)列(lie)特(te)性(xing)︰器件溫lu)1 級︰-40℃ 至 +125℃ 的環(huan)境運行xing)露(lu)確fan)圍輸入電(dian)壓(ya)︰2.8V 至 5.5V兩(liang)個(ge)高效降壓(ya)直流/直流轉換器︰輸出電(dian)壓(ya)︰0.7V 至 3.36V最大輸出電(dian)流 3A/相采用(yong)兩(liang)相配置的自動(dong)相位(wei)增加/減少和(he)強制多相操(cao)作采用(yong)兩(liang)相配置的nao)..
發表于 01-08 17:51 ? 247次 閱讀
LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電(dian)流降壓(ya)轉換器和(he)雙路線性(xing)穩壓(ya)器

TPS3840 具有手(shou)動(dong)復位(wei)和(he)可(ke)編程復位(wei)時ben)溲映chi)功(gong)能的毫(hao)微功(gong)耗(hao)高輸入電(dian)壓(ya)監(jian)控器

TPS3840系列(lie)電(dian)壓(ya)監(jian)控器或復位(wei)IC可(ke)在高電(dian)壓(ya)下(xia)工作,同(tong)時在整個(ge)V DD 上(shang)保持非常低(di)的靜態(tai)電(dian)流和(he)溫lu)確fan)圍。 TPS3840提供低(di)功(gong)耗(hao),高精度和(he)低(di)傳播延遲(chi)的最佳組合(he)(t p_HL =30μs典型值dan) 當(dang)VDD上(shang)的電(dian)壓(ya)低(di)于負電(dian)壓(ya)閾值dan) IT - )或手(shou)動(dong)復位(wei)拉低(di)邏輯(V MR _L )。當(dang)V DD 上(shang)升到(dao)V IT - 加you)禿hou)(V IT + )和(he)手(shou)動(dong)復位(wei)( MR )時,復位(wei)信(xin)號被清除(chu))浮動(dong)或高于V MR _H ,復位(wei)時ben)溲映chi)(t D )到(dao)期。可(ke)以通過在CT引腳(jiao)和(he)地之間連接一個(ge)電(dian)容來(lai)編程復位(wei)延時bo)6雜(za)誑燜俑次wei),CT引腳(jiao)可(ke)以懸空。 附加功(gong)能︰低(di)上(shang)電(dian)復位(wei)電(dian)壓(ya)(V POR ), MR 和(he)VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲(chi)滯ting) di)開漏(lou)輸出漏(lou)電(dian)流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完(wan)美lai)牡dian)壓(ya)監(jian)測(ce)解決方案,適用(yong)于工業應用(yong)和(he)電(dian)池供電(dian)/低(di)功(gong)耗(hao)應用(yong)。 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 結(jie)果 特(te)性(xing) 寬工作電(dian)壓(ya)︰1.5 V至10 V 納米電(dian)源電(dian)流︰350 nA(典型值dan)固定閾值電(dian)壓(ya)(V IT - ) 閾值從(cong)1.6 V到(dao)4.9 V,步長為0.1 V 高精度︰1%(典型值dan)內置滯後(hou)(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≦3.1V= 100mV(典...
發表于 01-08 17:51 ? 436次 閱讀
TPS3840 具有手(shou)動(dong)復位(wei)和(he)可(ke)編程復位(wei)時��ben)溲映��chi)功(gong)能的毫(hao)微功(gong)耗(hao)高輸入電(dian)壓(ya)監(jian)控器

INA240-SEP 采用(yong)增強型航天塑料且具有xing)鑾啃PWM 抑zhong)乒gong)能的 80V、高/低(di)側、零(ling)漂移電(dian)流檢測(ce)放大器

INA240-SEP器件是一款電(dian)壓(ya)輸出,電(dian)流檢測(ce)放大器,具有xing)鑾康WM反(fan)射功(gong)能,能夠(gou)在寬共模電(dian)壓(ya)下(xia)檢測(ce)分流電(dian)阻上(shang)的壓(ya)降範(fan)圍為-4V至80V,與電(dian)源電(dian)壓(ya)無關。負共模電(dian)壓(ya)允許(xu)器件在地下(xia)工作,適應典型電(dian)磁閥應用(yong)的反(fan)激時ben)洹EnhancedPWM抑zhong)莆 褂yong)脈沖寬度調制(PWM)信(xin)號的大型共模瞬(shun)變(ΔV/Δt)系di)常ㄈ緄dian)機驅動(dong)和(he)電(dian)磁閥控制系di)常┤ └咚 降囊種(zhong)啤4斯gong)能可(ke)實(shi)現精確的電(dian)流測(ce)量,無需大的瞬(shun)態(tai)電(dian)壓(ya)和(he)輸出電(dian)壓(ya)上(shang)的相關恢復紋波。 該器件采用(yong)2.7 V至5.5 V單電(dian)源供電(dian),最大電(dian)源電(dian)流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零(ling)漂移架(jia)構的低(di)失調允許(xu)電(dian)流檢測(ce),分流器上(shang)的最大壓(ya)降低(di)至10 mV滿(man)量程。 特(te)性(xing) VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂(shuan)鎖(SEL)免(mian)疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用(yong)晶圓批次可(ke)達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空zhan)湓鑾克芰受(shou)控基(ji)線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個(ge)裝配和(he)測(ce)試現場 一個(ge)制造現場 可(ke)用(yong)于軍用(yong)(-55°C至125°C)溫lu)確fan)圍 ExtendedProduct生命周(zhou)期 擴展(zhan)產品更改通知(zhi) 產品可(ke)追(zhui)溯性(xing) 用(yong)于低(di)釋氣(qi)的nao)鑾啃湍>  he)物 增強型PWM抑zhong)出色(se)...
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INA240-SEP 采用(yong)增強型航天塑料且具有��xing)鑾啃��PWM 抑��zhong)乒��gong)能的 80V、高/低(di)側、零(ling)漂移電(dian)流檢測(ce)放大器

LM96000 具有集成風扇(shan)控制的硬件監(jian)控器

LM96000硬件監(jian)視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數(shu)字接yong) J褂yong)8位(wei)ΣΔADC,LM96000測(ce)量︰ 兩(liang)個(ge)遠程二極管(guan)連接晶體(ti)管(guan)及(ji)其自身裸片的溫lu)VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和(he)12V電(dian)源(內部定標電(dian)阻)。 為了設置風扇(shan)速度,LM96000有三個(ge)PWM輸出,每個(ge)輸出由shan)ge)溫lu)惹蛑 豢?啤Vzhi)持高和(he)低(di)PWM頻率(lv)範(fan)圍。 LM96000包(bao)括一個(ge)數(shu)字濾shun)ㄆ鰨 ke)調用(yong)該濾shun)ㄆ饕雲(yun)交 露(lu)榷潦shu),從(cong)而更好地控制風扇(shan)速度。 LM96000有四個(ge)轉速計輸入,用(yong)于測(ce)量風扇(shan)速度。包(bao)括所有測(ce)量值的限制和(he)狀態(tai)寄(ji)存器。 特(te)性(xing) 符合(he)SMBus 2.0標準的2線制串行數(shu)字接yong)8位(wei)ΣΔADC 監(jian)控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和(he)12V主板/處理器電(dian)源 監(jian)控2個(ge)遠程熱二極管(guan) 基(ji)于溫lu)榷潦shu)的可(ke)編程自主風扇(shan)控制 風扇(shan)控制溫lu)榷潦shu)的nao) 1.0°C數(shu)字溫lu)卻 釁鞣直媛lv) 3 PWM風扇(shan)速度控制輸出 提供高低(di)PWM頻率(lv)範(fan)圍 4風扇(shan)轉速計輸入 監(jian)控5條(tiao)VID控制線 24針(zhen)TSSOP封裝 XOR-tree測(ce)試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
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LM96000 具有集成風扇(shan)控制的硬件監(jian)控器

LM63 具有集成風扇(shan)控制的準確遠程二極管(guan)數(shu)字溫lu)卻 釁/a>

LM63是一款帶集成風扇(shan)控制的nao)凍潭 guan)溫lu)卻 釁鰲LM63精確測(ce)量︰(1)自身溫lu)群he)(2)二極管(guan)連接yong)木 ti)管(guan)(如2N3904)或計算(suan)機處理器,圖形(xing)處理器單元(GPU)和(he)其他ASIC上(shang)常見的熱敏(min)二極管(guan)的溫lu)取LM63遠程溫lu)卻 釁韉木 日zhen)對串聯電(dian)阻和(he)英特(te)爾0.13μm奔(ben)騰4和(he)移動(dong)奔(ben)騰4處理器-M熱敏(min)二極管(guan)的1.0021非理想性(xing)進(jin)行了工廠調整。 LM63有一個(ge)偏(pian)移寄(ji)存器,用(yong)于校正由其他熱二極管(guan)的不同(tong)非理想因素(su)引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏(lou)風扇(shan)控制輸出。風扇(shan)速度是遠程溫lu)榷潦shu),查找表和(he)寄(ji)存器設置的組合(he)。 8步查找表使用(yong)戶能夠(gou)編程非線性(xing)風扇(shan)速度與溫lu)卻 鶯 shu),通常用(yong)于靜音聲學風扇(shan)reng) 特(te)性(xing) 準確感應板載大型處理器或ASIC上(shang)的二極管(guan)連接2N3904晶體(ti)管(guan)或熱二極管(guan) 準確感知(zhi)其自身溫lu) /li> 針(zhen)對za)?te)爾奔(ben)騰4和(he)移動(dong)奔(ben)騰4處理器-M熱二極管(guan)的工廠調整 集成PWM風扇(shan)速度控制輸出 使用(yong)用(yong)戶可(ke)編程降低(di)聲學風扇(shan)reng)胍 -Step查找表 用(yong)于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功(gong)能的多功(gong)能,用(yong)戶可(ke)選引腳(jiao) 用(yong)于測(ce)量風扇(shan)RPM的轉速計輸入< /li> 用(yong)于測(ce)量典型應用(yong)中脈沖寬度調制功(gong)率(lv)shi)姆縞shan)轉速的Smart-Tach模式 偏(pian)移寄(ji)存器可(ke)針(zhen)對...
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LM63 具有集成風扇(shan)控制的準確遠程二極管(guan)數(shu)字溫��lu)卻 釁�� /> </a></div><div class=

AWR1843 集成 DSP、MCU 和(he)雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車(che)雷達傳感器

AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠(gou)在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用(yong)TI的低(di)功(gong)耗(hao)45納米RFCMOS工藝制造,可(ke)在極小(xiao)的外形(xing)尺寸內實(shi)現前所未cong)械募 啥取AWR1843是汽車(che)領域低(di)功(gong)耗(hao),自監(jian)控,超精確雷達系di)車(che)睦硐虢餼齜槳浮AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可(ke)簡化在76至81 GHz頻段內實(shi)施汽車(che)雷達傳感器。它基(ji)于TI的低(di)功(gong)耗(hao)45納米RFCMOS工藝,可(ke)實(shi)現具有內置PLL和(he)A2D轉換器的3TX,4RX系di)車(che)牡? shi)現。它集成了DSP子(zi)系di)常 渲邪bao)含(han)TI的高性(xing)能C674x DSP,用(yong)于雷達信(xin)號處理。該設備包(bao)括BIST處理器子(zi)系di)常 涸ze)無線電(dian)配置,控制和(he)校準。此外,該器件還包(bao)括一個(ge)用(yong)戶可(ke)編程ARM R4F,用(yong)于汽車(che)接yong) S布鈾倨髂?椋WA)可(ke)以執行雷達處理,並可(ke)以幫助在DSP上(shang)保存MIPS以獲得更高級別的算(suan)法。簡單的編程模型更改可(ke)以實(shi)現各種(zhong)傳感器實(shi)現(短,中,長),並且可(ke)以動(dong)態(tai)重(zhong)新配置以實(shi)現多模傳感器。此外,該設備作為完(wan)整的平台解決方案提供,包(bao)括參考(kao)硬件設計,軟件驅動(dong)程序,示例配置,API指南和(he)用(yong)戶文檔。 特(te)性(xing) FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
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AWR1843 集成 DSP、MCU 和(he)雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車(che)雷達傳感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零(ling)漂移、零(ling)交叉、真 RRIO 精密運算(suan)放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和(he)OPA4388)系列(lie)高精度reng)慫suan)放大器是超低(di)噪聲,快速穩定,零(ling)漂移,零(ling)交叉器件,可(ke)實(shi)現軌到(dao)軌輸入和(he)輸出運行xiao)U廡┤te)性(xing)及(ji)優異交流性(xing)能與僅為0.25μV的偏(pian)移電(dian)壓(ya)以及(ji)0.005μV/°C的溫lu)繞 葡嘟jie)合(he),使OPAx388成為驅動(dong)高精度模數(shu)轉換器(ADC)或緩沖高分辨率(lv)數(shu)模轉換器(DAC)輸出的理想選擇(ze)。該設計可(ke)在驅動(dong)模數(shu)轉換器(ADC)的過程中實(shi)現zhong)乓煨xing)能,不會(hui)降低(di)線性(xing)度.OPA388(單通道版(ban)本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和(he)SOIC-8三種(zhong)封裝.OPA2388(雙通道版(ban)本)提供VSSOP-8和(he)SO-8兩(liang)種(zhong)封裝.OPA4388(四通道版(ban)本)提供TSSOP-14和(he)SO-14兩(liang)種(zhong)封裝。上(shang)述所有版(ban)本在-40°C至+ 125°C擴展(zhan)工業di)露(lu)確fan)圍內額定運行xiao)特(te)性(xing) 超低(di)偏(pian)移電(dian)壓(ya)︰±0.25μV 零(ling)漂移︰±0.005μV/°C 零(ling)交叉︰140dB CMRR實(shi)際RRIO 低(di)噪聲︰1kHz時為7.0nV /ˇ Hz 無1 /f噪聲︰140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定︰2μs(1V至0.01%) 增益帶寬︰10MHz 單電(dian)源︰2.5V至5.5V 雙電(dian)源︰±1.25V至±2.75V 真實(shi)軌到(dao)軌輸入和(he)輸出 已濾除(chu)電(dian)磁干shan)牛EMI)/射頻干shan)牛FI)的輸入 行業dang)..
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OPA4388 10MHz、CMOS、零(ling)漂移、零(ling)交叉、真 RRIO 精密運算(suan)放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低(di)功(gong)耗(hao)、內置 EMI 濾shun)ㄆ韉RRIO 運算(suan)放大器

TLVx314-Q1系列(lie)單通道,雙通道和(he)四通道運算(suan)放大器是新一代(dai)低(di)功(gong)耗(hao),通用(yong)運算(suan)放大器的典型代(dai)表。該系列(lie)器件具有軌到(dao)軌輸入和(he)輸出(RRIO)擺幅,低(di)靜態(tai)電(dian)流(5V時典型值di)50μA),3MHz高帶寬等特(te)性(xing),非常適用(yong)于需要在成本與性(xing)能間實(shi)現良ji)悶膠獾母骼嗟dian)池供電(dian)型應用(yong)。 TLVx314-Q1系列(lie)可(ke)實(shi)現1pA低(di)輸入偏(pian)置電(dian)流,是高阻抗傳感器的理想選擇(ze)。 TLVx314-Q1器件采用(yong)穩健耐用(yong)的設計,方便(bian)電(dian)路設計人員使用(yong)。該器件具有單位(wei)增益穩定性(xing),支(zhi)持軌到(dao)軌輸入和(he)輸出(RRIO),容性(xing)負載高達300PF,集成RF和(he)EMI抑zhong)坡瞬(shun)ㄆ鰨 詮tiao)件下(xia)不會(hui)出現反(fan)相並且具有高靜電(dian)放電(dian)(ESD)保護(4kV人體(ti)模型ting)BM))。 此類器件經過優化,適合(he)在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低(di)電(dian)壓(ya)狀態(tai)下(xia)工作並可(ke)在-40°C至+ 125°C的擴展(zhan)工業di)露(lu)確fan)圍內額定運行xiao)TLV314-Q1(單通道)采用(yong)5引腳(jiao)SC70和(he)小(xiao)外形(xing)尺寸晶體(ti)管(guan)(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版(ban)本)采用(yong)8引腳(jiao)小(xiao)外形(xing)尺寸集成電(dian)路(SOIC)封裝和(he)超薄(bo)外形(xing)尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用(yong)14引腳(jiao)薄(bo)型小(xiao)外形(xing)尺寸(TSSOP)封裝。 特(te)性(xing) 符合(he)汽車(che)類應用(yong)的要求 具...
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TLV2314-Q1 3MHz、低(di)功(gong)耗(hao)、內置 EMI 濾��shun)ㄆ韉��RRIO 運算(suan)放大器

www.binli.cc【即存即送】www.bn88.ccDRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

DRV5021器件是一款用(yong)于高速應用(yong)的低(di)壓(ya)數(shu)字開關霍爾效應傳感器。該器件采用(yong)2.5V至5.5V電(dian)源工作,可(ke)檢測(ce)磁通密度,並根據(ju)預定義的磁閾值提供數(shu)字輸出。 該器件檢測(ce)垂直于封裝面的磁場。當(dang)施加yong)拇磐 芏瘸 挪cao)作點(B OP )閾值時,器件的漏(lou)極開路輸出驅動(dong)低(di)電(dian)壓(ya)。當(dang)磁通密度降低(di)到(dao)小(xiao)于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和(he)B RP 分離產生的滯後(hou)有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種(zhong)配置使系di)成杓聘憂看螅 ke)抵抗噪聲干shan)擰該器件可(ke)在-40°C至+ 125°C的寬環(huan)境溫lu)確fan)圍內始終如一地工作。 特(te)性(xing) 數(shu)字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電(dian)壓(ya)V CC 範(fan)圍 磁敏(min)感度選項(xiang)(B OP ,B RP )︰ DRV5021A1︰2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2︰9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3︰17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏(lou)輸出能夠(gou)達到(dao)20 mA 優化的低(di)壓(ya)架(jia)構 集成滯後(hou)以增強抗噪能力 工作溫lu)確fan)圍︰-40° C至+ 125°C 標準工業封裝︰ 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者(zhe)的財產。 參數(shu) 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和(he)開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

TLV1805-Q1 具有關斷(duan)功(gong)能的 40V 微功(gong)耗(hao)推挽(wan)式汽車(che)類高電(dian)壓(ya)比較器

TLV1805-Q1高壓(ya)比較器提供寬電(dian)源範(fan)圍,推挽(wan)輸出,軌到(dao)軌輸入,低(di)靜態(tai)電(dian)流,關斷(duan)的獨特(te)組合(he)和(he)快速輸出響應。所有這些特(te)性(xing)使該比較器非常適合(he)需要檢測(ce)正或負電(dian)壓(ya)軌的應用(yong),如智能二極管(guan)控制器的反(fan)向(xiang)電(dian)流保護,過流檢測(ce)和(he)過壓(ya)保護電(dian)路,其中推挽(wan)輸出級用(yong)于驅動(dong)柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰(feng)值電(dian)流推挽(wan)輸出級是高壓(ya)比較器的獨特(te)之處,它具有xing)市xu)輸出主動(dong)驅動(dong)負載到(dao)電(dian)源軌的優勢(shi)具有快速邊(bian)緣(yuan)速率(lv)。這在MOSFET開關需要被驅動(dong)為高或低(di)以便(bian)將主機與意外高壓(ya)電(dian)源連接或斷(duan)開的應用(yong)中尤(you)其有價值。低(di)輸入失調電(dian)壓(ya),低(di)輸入偏(pian)置電(dian)流和(he)高阻態(tai)關斷(duan)等附加功(gong)能使TLV1805-Q1足夠(gou)靈活(huo),可(ke)以處理幾乎任何應用(yong),從(cong)簡單的電(dian)壓(ya)檢測(ce)到(dao)驅動(dong)單個(ge)繼電(dian)器。 TLV1805-Q1符合(he)AEC-Q100標準,采用(yong)6引腳(jiao)SOT-23封裝,額定工作溫lu)確fan)圍為-40°C至+ 125°C。 特(te)性(xing) AEC-Q100符合(he)以下(xia)結(jie)果︰ DeviceTemperature 1級︰-40°C至+ 125°C環(huan)境溫lu)裙?魑露(lu)器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電(dian)源範(fan)圍 低(di)靜態(tai)電(dian)流︰每個(ge)比較器150μA 兩(liang)個(ge)導軌以外的輸入共模範(fan)圍 相位(wei)huan)醋 ;推 - 拉輸出 250ns傳播延遲(chi) 低(di)輸入失...
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TLV1805-Q1 具有關斷(duan)功(gong)能的 40V 微功(gong)耗(hao)推挽(wan)式汽車(che)類高電(dian)壓(ya)比較器

TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度reng)凍毯he)本地溫lu)卻 釁/a>

這個(ge)遠程溫lu)卻 釁魍 2捎yong)低(di)成本分立式NPN或PNP晶體(ti)管(guan),或者(zhe)基(ji)板熱晶體(ti)管(guan)/二極管(guan),這些器件都是微處理器,模數(shu)轉換器(ADC),數(shu)模轉換器(DAC),微控制器或現場可(ke)編程門陣(zhen)列(lie)(FPGA)中不可(ke)或缺的部kao)1鏡睪he)遠程傳感器均用(yong)12位(wei)數(shu)字編碼表示溫lu)齲 直媛lv)為0.0625°C。此兩(liang)線制串口接受(shou)SMBus通信(xin)協議,以及(ji)多達9個(ge)不同(tong)的引腳(jiao)可(ke)編程地址。 該器件將諸如串聯電(dian)阻抵消,可(ke)編程非理想性(xing)因子(zi)(η因子(zi)),可(ke)編程偏(pian)移,可(ke)編程溫lu)認拗坪he)可(ke)編程數(shu)字濾shun)ㄆ韉雀嘸短te)性(xing)完(wan)美結(jie)合(he),提供了一套準確fan)群he)抗擾度更高且穩健耐用(yong)的溫lu)燃jian)控解決方案。 TMP461-SP是在各種(zhong)分布式遙(yao)測(ce)應用(yong)中進(jin)行多位(wei)置高精度溫lu)炔ce)量的理想選擇(ze)這類集成式本地和(he)遠程溫lu)卻 釁 ke)提供一種(zhong)簡單的方法來(lai)測(ce)量ke)露(lu)忍荻齲 jin)而簡化了航天器維(wei)護活(huo)動(dong)。該器件的額定電(dian)源電(dian)壓(ya)範(fan)圍為1.7V至3.6V,額定工作溫lu)確fan)圍為-55 °C至125°C。 特(te)性(xing) 符合(he)QMLV標準︰5962-1721801VXC 熱reng)鑾啃KU封裝 經測(ce)試,在50rad /s的高劑量率(lv)(HDR)下(xia),可(ke)抵抗高達50krad(Si)的電(dian)離輻射總劑量(TID) 經測(ce)試,在10mrad /s的低(di)劑量率(lv)(LDR)下(xia),可(ke)抵抗高達100krad(Si)的電(dian)離輻射...
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TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度��reng)凍毯��he)本地溫��lu)卻 釁�� /> </a></div><div class=

LP87524P-Q1 用(yong)于 AWR 和(he) IWR MMIC 的四個(ge) 4MHz 降壓(ya)轉換器

LP87524B /J /P-Q1旨在滿(man)足各種(zhong)汽車(che)電(dian)源cong)τyong)中最新處理器和(he)平台的電(dian)源管(guan)理要求。該器件包(bao)含(han)四個(ge)降壓(ya)DC-DC轉換器內核,配置為4個(ge)單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接yong)諍he)enableignals控制。 自動(dong)PFM /PWM(自動(dong)模式jian)┌cao)作可(ke)在寬輸出電(dian)流範(fan)圍內最大限度地提高效率(lv)。 LP87524B /J /P-Q1支(zhi)持遠程電(dian)壓(ya)檢測(ce),以補償穩壓(ya)器輸出和(he)負載點(POL)之間的IR壓(ya)降dan) cong)而提高輸出電(dian)壓(ya)的精度。此外,開關時鐘(zhong)可(ke)以強制為PWM模式jian) 部ke)以za)臚獠渴敝zhong)同(tong)步jian) 宰畬笙薅鵲?跎俑扇(shan)擰LP87524B /J /P-Q1器件支(zhi)持負載電(dian)流測(ce)量,無需增加you)獠康dian)流檢測(ce)電(dian)阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支(zhi)持可(ke)編程的啟動(dong)和(he)關閉延遲(chi)以及(ji)與信(xin)號同(tong)步的序列(lie)。這些序列(lie)還可(ke)以包(bao)括GPIO信(xin)號,以控制外部ke)妊ya)器,負載開關和(he)處理器復位(wei)。在啟動(dong)和(he)電(dian)壓(ya)變化期間,器件控制輸出壓(ya)擺率(lv),以最大限度地減少輸出電(dian)壓(ya)過沖和(he)浪涌(yong)電(dian)流。 特(te)性(xing) 符合(he)汽車(che)應用(yong)要求 AEC-Q100符合(he)以下(xia)結(jie)果︰ 設備溫lu)鵲燃︰-40°C至+ 125°C環(huan)境工作溫lu)輸入電(dian)壓(ya)︰2.8 V至5.5 V 輸出電(dian)壓(ya)︰0.6 V至3.36 V 四個(ge)高效降壓(ya)型DC-DC轉換器內核︰ 總輸出電(dian)流高達10 A 輸出電(dian)壓(ya)漏(lou)電(dian)率(lv)...
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LP87524P-Q1 用(yong)于 AWR 和(he) IWR MMIC 的四個(ge) 4MHz 降壓(ya)轉換器

TAS2562 具有揚(yang)聲器 IV 檢測(ce)功(gong)能的數(shu)字輸入單聲道 D 類音頻放大器

TAS2562是一款數(shu)字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠(gou)有效地將高峰(feng)值功(gong)率(lv)驅動(dong)到(dao)小(xiao)型揚(yang)聲器應用(yong)中xiao)D類放大器能夠(gou)在電(dian)壓(ya)為3.6 V的情況下(xia)向(xiang)6.1負載提供6.1 W的峰(feng)值功(gong)率(lv)。 集成揚(yang)聲器電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流檢測(ce)可(ke)實(shi)現對揚(yang)聲器的實(shi)時ben)囁亍U庠市xu)在將揚(yang)聲器保持在安全操(cao)作區域的同(tong)時推動(dong)峰(feng)值SPL。具有防止掉電(dian)的電(dian)池跟蹤(zong)峰(feng)值電(dian)壓(ya)限制器可(ke)優化整個(ge)充電(dian)周(zhou)期內的放大器裕量,防止系di)徹乇鍘I 2 S /TDM + I中最多可(ke)有四個(ge)器件共用(yong)一個(ge)公(gong)共總線 2 C接yong) TAS2562器件采用(yong)36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性(xing)能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加you)quan)空閑信(xin)道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率(lv)為20 - 20 kHz 83.5%效率(lv)為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷(duan)VBAT電(dian)流 揚(yang)聲器電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流檢測(ce) VBAT跟蹤(zong)峰(feng)值電(dian)壓(ya)限制器,具有xing)費(fei)ya)預防 8 kHz至192 kHz采樣率(lv) 靈活(huo)的用(yong)戶界面 I 2 S /TDM︰8通道(32位(wei)/96 kHz) I 2 < /sup> C︰4個(ge)可(ke)選擇(ze)的地址 MCLK免(mian)費(fei)操(cao)作 低(di)流行並點...
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TAS2562 具有揚(yang)聲器 IV 檢測(ce)功(gong)能的數(shu)字輸入單聲道 D 類音頻放大器

LM358B 雙路運算(suan)放大器

LM358B和(he)LM2904B器件是業dao)綾曜嫉M358和(he)LM2904器件的下(xia)一代(dai)版(ban)本,包(bao)括兩(liang)個(ge)高壓(ya)(36V)操(cao)作放大器(運算(suan)放大器)。這些器件為成本敏(min)感型應用(yong)提供了卓越的價值dan) 哂械di)失調(300μV,典型值dan)  材J淙虢擁(yong)胤fan)圍和(he)高差分輸入電(dian)壓(ya)能力等特(te)點。 LM358B和(he)LM2904B器件簡化電(dian)路設計具有xing)鑾課(ke)榷ㄐxing),3 mV(室溫下(xia)最大)的低(di)偏(pian)移電(dian)壓(ya)和(he)300μA(典型值dan)┐牡di)靜態(tai)電(dian)流等reng)鑾抗gong)能。 LM358B和(he)LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和(he)集成的EMI和(he)RF濾shun)ㄆ鰨 ke)用(yong)于最堅固,極具環(huan)境挑戰性(xing)yuan)撓τyong)。 LM358B和(he)LM2904B器件采用(yong)微型封裝,例如TSOT-8和(he)WSON,以及(ji)行業dang)曜擠庾埃 bao)括SOIC,TSSOP和(he)VSSOP。 特(te)性(xing) 3 V至36 V的寬電(dian)源範(fan)圍(B版(ban)) 供應 - 電(dian)流為300μA(B版(ban),典型值dan)1.2 MHz的單位(wei)增益帶寬(B版(ban)) 普(pu)通 - 模式輸入電(dian)壓(ya)範(fan)圍包(bao)括接yong)兀 鼓(gu)芙擁(yong)?苯詠擁(yong)25°C時低(di)輸入偏(pian)移電(dian)壓(ya)3 mV(A和(he)B型號,最大值dan)內部RF和(he)EMI濾shun)ㄆ鰨版(ban)) 在符合(he)MIL-PRF-38535的產品上(shang),除(chu)非另有說明,否則所有參數(shu)均經過測(ce)試。在所有其他產品上(shang),生產加工不一huan) bao)括所有參數(shu)的測(ce)試。 所...
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LM358B 雙路運算(suan)放大器

LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓(ya)轉換器

LP8756x-Q1器件專為滿(man)足各種(zhong)汽車(che)電(dian)源cong)τyong)中最新處理器和(he)平台的電(dian)源管(guan)理要求而設計。該器件包(bao)含(han)四個(ge)降壓(ya)直流/直流轉換器內核,這些內核可(ke)配置為1個(ge)四相輸出,1個(ge)三相和(he)1個(ge)單相輸出,2個(ge)兩(liang)相輸出,1個(ge)兩(liang)相和(he)2個(ge)單相輸出,或者(zhe)4個(ge)單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接yong)諍he)使gu)芐xin)號進(jin)行控制。 自動(dong)脈寬調制(PWM)到(dao)脈頻調制(PFM)操(cao)作( AUTO模式jian)┬胱遠dong)增相和(he)切相相結(jie)合(he),可(ke)在較寬輸出電(dian)流範(fan)圍內最大限度地提高效率(lv).LP8756x-Q1支(zhi)持對多相位(wei)輸出的nao)凍灘罘值dian)壓(ya)檢測(ce),可(ke)補償穩壓(ya)器輸出與負載點(POL)之間的IR壓(ya)降dan) cong)而提高輸出電(dian)壓(ya)的精度。此外,可(ke)以強制開關時鐘(zhong)進(jin)入PWM模式以及(ji)將其與外部時鐘(zhong)同(tong)步jian) cong)而最大限度地降低(di)干shan)擰LP8756x- Q1器件支(zhi)持在不添加you)獠康dian)流檢測(ce)電(dian)阻器的情況下(xia)進(jin)行負載電(dian)這個(ge)序列(lie)可(ke)能包(bao)括用(yong)于控制外部ke)妊ya)器,負載開關和(he)處理器復位(wei)的GPIO信(xin)號。在啟動(dong)和(he)電(dian)壓(ya)變化期間,該器件會(hui)對輸出壓(ya)擺率(lv)進(jin)行控制,從(cong)而最大限度地減小(xiao)輸出電(dian)壓(ya)過沖和(he)浪涌(yong)電(dian)流。 特(te)性(xing) 符合(he)汽車(che)類標準 具有符合(he)AEC-Q100標準的下(xia)列(lie)特(te)性(xing)︰ 器件溫lu)級︰-40℃至+ 125℃的環(huan)境運行xing)露(lu)確fan)圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓(ya)轉換器

LM2902LV 行業dang)曜肌 di)電(dian)壓(ya)放大器

LM290xLV系列(lie)包(bao)括雙路LM2904LV和(he)四路LM2902LV運算(suan)放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低(di)電(dian)壓(ya)供電(dian)。 這些運算(suan)放大器可(ke)以替代(dai)低(di)電(dian)壓(ya)應用(yong)中的成本敏(min)感型LM2904和(he)LM2902。有些應用(yong)是大型電(dian)器,煙(yan)霧探測(ce)器和(he)個(ge)人電(dian)子(zi)產品.LM290xLV器件在低(di)電(dian)壓(ya)下(xia)可(ke)提供比LM290x器件更佳的性(xing)能,並且功(gong)能耗(hao)盡。這些運算(suan)放大器具有單位(wei)增益穩定性(xing),並且在過驅情況下(xia)不會(hui)出現相位(wei)huan)醋ESD設計為LM290xLV系列(lie)提供了至少2kV的HBM規格(ge)。 LM290xLV系列(lie)采用(yong)行業dang)曜擠庾啊U廡┐庾鞍bao)括SOIC,VSSOP和(he)TSSOP封裝。 特(te)性(xing) 適用(yong)于成本敏(min)感型系di)車(che)墓?當(dang)曜擠糯篤低(di)輸入失調電(dian)壓(ya)︰±1mV < LI>共模電(dian)壓(ya)範(fan)圍包(bao)括接yong)單位(wei)增益帶寬︰1MHz的 低(di)寬帶噪聲︰40nV /ˇ赫茲 低(di)靜態(tai)電(dian)流︰90μA/通道 單位(wei)增益穩定 可(ke)在2.7V至5.5V的電(dian)源電(dian)壓(ya)下(xia)運行 提供雙通道和(he)四通道型號< /li> 嚴格(ge)的ESD規格(ge)︰2kV HBM 擴展(zhan)溫lu)確fan)圍︰-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者(zhe)的財產。 參數(shu) 與其它產品相比?通用(yong) 運算(suan)放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行業��dang)曜肌 ��di)電(dian)壓(ya)放大器

LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓(ya)轉換器

LP8756x-Q1器件專為滿(man)足各種(zhong)汽車(che)電(dian)源cong)τyong)中最新處理器和(he)平台的電(dian)源管(guan)理要求而設計。該器件包(bao)含(han)四個(ge)降壓(ya)直流/直流轉換器內核,這些內核可(ke)配置為1個(ge)四相輸出,1個(ge)三相和(he)1個(ge)單相輸出,2個(ge)兩(liang)相輸出,1個(ge)兩(liang)相和(he)2個(ge)單相輸出,或者(zhe)4個(ge)單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接yong)諍he)使gu)芐xin)號進(jin)行控制。 自動(dong)脈寬調制(PWM)到(dao)脈頻調制(PFM)操(cao)作( AUTO模式jian)┬胱遠dong)增相和(he)切相相結(jie)合(he),可(ke)在較寬輸出電(dian)流範(fan)圍內最大限度地提高效率(lv).LP8756x-Q1支(zhi)持對多相位(wei)輸出的nao)凍灘罘值dian)壓(ya)檢測(ce),可(ke)補償穩壓(ya)器輸出與負載點(POL)之間的IR壓(ya)降dan) cong)而提高輸出電(dian)壓(ya)的精度。此外,可(ke)以強制開關時鐘(zhong)進(jin)入PWM模式以及(ji)將其與外部時鐘(zhong)同(tong)步jian) cong)而最大限度地降低(di)干shan)擰LP8756x- Q1器件支(zhi)持在不添加you)獠康dian)流檢測(ce)電(dian)阻器的情況下(xia)進(jin)行負載電(dian)這個(ge)序列(lie)可(ke)能包(bao)括用(yong)于控制外部ke)妊ya)器,負載開關和(he)處理器復位(wei)的GPIO信(xin)號。在啟動(dong)和(he)電(dian)壓(ya)變化期間,該器件會(hui)對輸出壓(ya)擺率(lv)進(jin)行控制,從(cong)而最大限度地減小(xiao)輸出電(dian)壓(ya)過沖和(he)浪涌(yong)電(dian)流。 特(te)性(xing) 符合(he)汽車(che)類標準 具有符合(he)AEC-Q100標準的下(xia)列(lie)特(te)性(xing)︰ 器件溫lu)級︰-40℃至+ 125℃的環(huan)境運行xing)露(lu)確fan)圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓(ya)轉換器
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